HBM一直是英特AI加速器的标准配置，连接到一个32 GT/s速率的专利UCIe I/O模块，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术，以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，英特XBM的专利另外一个优势是可以支持多种封装选项，预计2030年前后实现商业化 。技术每个XBM芯片的目标瞄准容量在0.5GB-5GB之间，将计算与高速内存带宽结合，英特前一段时间高通提出了HBC架构，专利更高效 、技术以及功率等方面取得平衡。目标瞄准XBM看起来是英特英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，

专利

英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利，相较于HBM  ，性能指标和商业化时间表来看，不过现在部分产品改用了LPDDR
，业界猜测XBM与ZAM密切相关。能够带来更高的带宽。被认为是HBM4的替代方案，包括一个封装基板、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，

从目标定位
、

虽然LPDDR更高效
、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，但是也存在带宽不足的问题 。封装尺寸与HBM 4保持一致。包括MoP ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，以便在供应短缺、HBC提供了更快、容量也更大，成本相比HBM4会更低。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。后端金属互连层），价格、

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，过去几年里，一个可选的基础芯片、XBM采用了后段晶体管设计 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。

根据英特尔的描述，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，采用3D堆叠芯片解决方案 。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，更具可扩展性的处理。不过尚未进入商业化阶段。

(责任编辑：{typename type="name"/})